化学气相沉积

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Research-PECVD沉积

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产品概述:

本设备采用等离子体增强化学气相沉积技术,在玻璃、硅、石英以及其他金属等衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等功能薄膜,用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,也可用于工件超硬薄膜的制备,广泛应用于大专院校、科研院所和企业生产科研与批量制备。


详细信息

真空腔体:SUS304不锈钢钟罩式或前开门,腔体双层水冷,根据客户需求可定制,公司标准产品为φ300φ500φ600φ900mm

真空系统:涡轮分子泵为主泵,油封式旋片机械泵+机械增压罗茨泵机组为前级真空系统,可选配全干式无油真空系统;

极限压力:优于5X10-5Pa,漏率优于10-6Pa.L/S,除常开部件外均采用CF金属密封连接,其电气引入均采用陶瓷封结部件

热丝加热组件:加热选用钨丝,加热功率根据客户需求定制,钨丝表面温度2000℃,热丝与基片之间距离手动可调,加热电压:48V,选用优质变压器和功率控制器

工件盘:根据客户需求定制,基片安装位置与分气系统距离可调,科研级为全盘式工件盘,工业级根据客户实际需求定制;
      射频电源:全固态射频电源,自动和手动兼容匹配器;

基片偏压:可加-200V-0V可调偏压电源;(选配)

基片烘烤:烘烤最高温度700℃,PID闭环控制,温控精度1℃,过冲不超高2℃,升温曲线可调

气路系统:配置气体质量流量计4套,4-20MA反馈回路,φ6.35BA级毛细气路控制系统,气动VCR全金属密封管路及阀门;
      尾气处理系统:客户根据工艺需求自行购买;

辅助系统:配置空气压缩机1台,科研级冷水机一台。

特别说明:根据用户不同的工况和工艺要求,公司愿与客户联合研发,共享知识产权。