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产品概述：
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。
1.气体种类：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等
2.基片尺寸：zui大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
3.射频电源 ICP电源：13.56MHz，1400W; 偏压电源：13.56MHz，800W
4.工艺温度：10℃到80℃可控
5.传送模式：自动Loadlock传送系统
