- 2025-04-21
- 2025-03-27
- 2025-03-14
- 2025-03-08
- 离子束:高达5KV/10mA
- 离子电流密度100-360uA/cm2
- 离子束直径:4",5",6"
- 兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)
- 极限真空5x10-5Pa
- 80l/s涡轮分子泵,串接500 l/min干泵
- 12"不锈钢筒装腔体,上翻盖机构
- 水冷旋转/倾斜样品台
产品应用:表面处理、离子铣、等离子表面清洗、带活性气体的离子束刻蚀: 光栅刻蚀,以及SiO2,Si和金属的深槽刻蚀。
IBE等离子刻蚀
该系统为手动放片取片,通过触摸屏全自动实现工艺控制的桌面式离子束刻蚀系统,系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为自主研发。