- 2025-04-21
- 2025-03-27
- 2025-03-14
- 2025-03-08
1.气体种类:O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等
2.基片尺寸:zui大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
3.射频电源 ICP电源:13.56MHz,1400W; 偏压电源:13.56MHz,800W
4.工艺温度:10℃到80℃可控
5.传送模式:自动Loadlock传送系统
ICP等离子刻蚀
反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。