- 2025-11-10
- 2025-09-29
- 2025-09-24
- 2025-09-01
尺寸:Φ1500mm,Φ2000mm
-4Pa
本设备可根据客户技术需求,定制研发生产,具体请电联。
超越大孔径等离子体刻蚀
本设备主要用于半导体刻蚀,可兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能,利用气态化学刻蚀剂与材料反应进行刻蚀,并可将形成的挥发性副产物从衬底上清除,通过真空系统、特别适用于蚀刻熔融石英,硅,光刻胶,聚酰亚胺 (PI) 薄膜,金属等材料。
尺寸:Φ1500mm,Φ2000mm
-4Pa
本设备可根据客户技术需求,定制研发生产,具体请电联。