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气相化学沉积（CVD）薄膜沉积技术介绍

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创建时间：2024-07-04 14:50

气相化学沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一种重要的薄膜沉积技术，常用于制备各种功能性薄膜和薄层材料，广泛应用于半导体制造和其他领域。

 

 

1. CVD工作原理

成都超迈在CVD过程中，通过将气体前体（一种或多种气态前体化合物）与基底表面接触并加热至一定温度，使其发生化学反应并沉积在基底表面上，形成所需的薄膜或涂层。
这种化学反应的产物是固体，通常是所需材料的化合物。如我们想把硅粘在表面上，我们可以用三氯硅烷(SiHCl3)作为前驱气体：
SiHCl3→Si + Cl2 + HCl

硅将结合到任何暴露的表面(包括内部和外部)，而氯和盐酸气体将从腔室排出。

 

2. CVD分类

热CVD（Thermal CVD）：通过加热前体气体以使其分解并沉积在基底表面上。
等离子体增强CVD（Plasma Enhanced CVD，PECVD）：在热CVD基础上加入等离子体，以增强反应速率和控制沉积过程。

金属有机CVD（Metal Organic CVD，MOCVD）：使用金属有机化合物作为前体气体，可制备金属和半导体的薄膜，常用于LED等器件制造。

 

3. 应用情况

(1) 半导体制造

成都超迈硅化物薄膜：用于制备绝缘层、衬底、隔离层等。
氮化物薄膜：用于制备氮化硅、氮化铝等，应用于LED、功率器件等。

金属薄膜：用于制备导电层、金属化层等。

 

(2) 显示技术

ITO薄膜：透明导电氧化物薄膜，常用于平板显示器和触摸屏。

铜薄膜：用于制备封装层、导电线路等，提高显示器件的性能。

 

(3) 其他领域

光学涂层：包括抗反射涂层、光学滤波器等。

防腐涂层：用于汽车零部件、航空航天器件等。

 

4. CVD工艺特点

利用高温环境，以促进反应速度。
通常在真空环境下进行。
涂装前必须清除部件表面的污染物。
工艺可能会限制可涂覆的基材，即温度限制或反应性限制。
CVD涂层将覆盖零件的所有区域，包括螺纹、盲孔和内表面。 可能会限制遮蔽特定目标区域的能力。
薄膜厚度受到工艺和材料状态的限制。

优越的附着力。

 

5. CVD技术优势

均匀性：能够在大面积基底上实现均匀沉积。

 

 

成都超迈控制性：可以通过控制前体气体的流量和温度来调节沉积速率和薄膜性质。

 

多功能性：适用于多种材料的沉积，如金属、半导体、氧化物等。

 

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