介绍：刻蚀设备在半导体行业中占据着至关重要的地位，可以实现纳米级的精密刻蚀。对复杂微结构的器件加工，微电子器件的制造提供重要支持，在芯片领域发挥着关键作用。

该系统为手动放片取片，通过触摸屏全自动实现工艺控制的桌面式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为自主研发。

反应离子刻蚀（RIE）是一种制造微纳米结构的等离子刻蚀技术。在刻蚀过程中，低压等离子体产生了高能离子和自由基，与样品表面反应，产生挥发性的化合物。这些挥发性化合物从样品表面抽走后，样品表面就实现了同向性或异向性的形貌。许多材料都能使用RIE刻蚀，并通过优化刻蚀参数（腔体压力、射频功率、气体流量比等）获得更好效果。

反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

反应离子刻蚀（RIE）是一种制造微纳米结构的等离子刻蚀技术。在刻蚀过程中，低压等离子体产生了高能离子和自由基，与样品表面反应，产生挥发性的化合物。这些挥发性化合物从样品表面抽走后，样品表面就实现了同向性或异向性的形貌。许多材料都能使用RIE刻蚀，并通过优化刻蚀参数（腔体压力、射频功率、气体流量比等）获得更好效果。

Surpass系列 干法刻蚀机，特别适合于大口径、高均匀性和有特殊微纳结构的基片刻蚀，最大刻蚀尺寸可达φ2500mm，通过高密度等离子体及离子浓度修正系统，可达到基片有效刻蚀区域内均匀性较高的技术指标，满足大口径基片刻蚀的需求。

本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。