半导体＆芯片制程

晶圆金属互连层。膜层：Al、Cu、W、Ti、TiN、Ta、TaN；设备：PVD 磁控溅射、ALD、CVD；作用：芯片内部导线、阻挡层、粘附层，实现低阻互连。
栅极与介质膜。膜层：HfO₂、SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃；设备：ALD、PECVD、LPCVD；作用：栅介质、隔离、钝化，提升器件稳定性。
钝化与保护层。膜层：SiO₂、SiNₓ、聚酰亚胺；设备：PECVD、溅射；作用：防潮、绝缘、抗划伤、抗离子迁移。
凸点 / 凸块金属层（Bumping）。膜层：NiV、Cu、TiW、Au；设备：溅射、蒸发；作用：晶圆凸点底部金属层（UBM），用于倒装芯片封装