半导体湿法和干法刻蚀是什么？1

2 物化提纯法的提纯反应机理及提纯流程 

第 3 代半导体碳化硅用高纯石墨制品的提纯 通常采用物化法提纯，其纯度要达到≥99．9995%， 除对纯度要求外，还对某些杂质元素含量有要求， 例如B杂质含量≤0.05 × 10－6 ，Al杂质含量≤0.05 ×10－6 。

2．1 提纯反应机理 

通过炉内炉温和真空度的升高，使石墨制品中 的某些杂质自动挥发，达到去除杂质的目的。对于其他需要更高温才能去除的杂质元素，则通过卤素 气体将其转变成熔沸点低的卤化物; 在二者共同作 用下，使石墨中的杂质排除，达到石墨提纯的效果。石墨杂质中的 SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO 等 氧化物( 熔沸点如表 2 所示) ，在物化法提纯过程 中发生如下化学反应( 式中 M 为卤族元素) :

以卤族元素中的氯气为例，在提纯过程中通入 氯气，使石墨杂质中的氧化物变成氯化物，其熔沸 点如表 3 所示。通过表 2 和表 3 对比可以发现 其氯化物的熔沸点远低于氧化物的熔沸点，这就使 不需要很高的温度即可将石墨中的杂质去除。

2．2 提纯流程 

第3代半导体碳化硅用高纯石墨制品进行提 纯前，需要根据产品最终纯度和个别杂质元素含量的要求，以及提纯前石墨制品的纯度和个别杂质元 素的含量，确定选用何种工艺方案去除杂质，并定向去除个别关键元素，如B和Al等。工艺方案是根据产品的初始和最终纯度的指标和个别元素要求，确定提纯工艺选择卤素气体、炉压以及工艺温度等指标，选择最优、最经济的方案去除杂质，并将工艺数据输入到提纯设备中进行工艺提纯，提纯后进行第三方检测，检测合格后提交给最终用户。第3代半导体碳化硅用高纯石墨提纯流程如图1所示。