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超迈光电分析半导体最全专业词汇三

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创建时间：2026-05-15 16:46

51、DepthofWell井深

顾名思义即阱的深度。通过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子，然后通过Drivein将离子往下推所达到的深度。

52、DesignRule设计规范

由于半导体制程技术，系一门专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法(RECIPE)的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套规范来做有关技术上的规定，此即"DesignRule"，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力，各项相关电性参数规格等考虑，订正了如：

53、DHF

DiluteHF，一般用来去除nativeoxide，稀释的HF(DiluteHF)HF：H2O=1:50

54、Die晶粒

一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。

55、Dielectric介电材料

介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等，需要的介电材料要求：1.良好的stepcoverage，2.低介电常数，3.高崩溃电压，4.低应力，5.平坦性好。

56、DielectricConstant介电常数

介电常数是表征电容性能的一重要参数，越小越好,它与导电性能成反比。

57、Diffusion扩散

在一杯很纯的水上点一滴红墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是愈来愈淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。

58、扩散系数

扩散系数（DiffusionCoefficient）是描述杂质在晶体中扩散快慢的一个参数。这与扩散条件下的温度，压强，浓度成正比。 D=D0exp(-Ea/KT) D0是外插至无限大温度所得的扩散系数(cm2/s)Ea是活化能(ev)在低浓度时,扩散系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关

59、扩散炉

在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。这样的炉管就叫做扩散炉（DiffusionFurnace）。

60、扩散式泵

通过加热油，油气蒸发高速喷射出去，带出气体分子，达到抽气的目的。它可以达到10-5Torr.

61、Dimple

凹痕表面上轻微的下陷或凹陷。

62、DIWater去离子水

IC制造过程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步骤之后，又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。然而IC工业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。

63、Donor施体

我们将使原本本征的半导体产生多余电子的杂质，称为施体。如掺入p的情况。

64、Dopant掺杂

在原本本征的半导体里主动的植入或通过扩散的方法将其它的原子或离子掺入进去，达到改变其电性能的方法。如离子植入。

65、DopantDrivein杂质的赶入

我们离子植入后，一般植入的离子分布达不到我们的要求，我们通过进炉管加高温的方式将离子进行扩散，以达到我们对离子分布的要求，同时对离子植入造成的缺陷进行修复。

66、掺杂源

我们将通过扩散的方法进行掺杂的物资叫掺杂源，例如将Poly里掺入P的POCl3我们将其叫掺杂源（DopantSource）。

67、掺入杂质

为使组件运作，芯片必须掺以杂质（)Doping），一般常用的有：

68、Dosage剂量

表示离子数的一个参数。

69、DRAM,SRAM动态，静态随机存取内存

随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在一段时间(一般是0.5ms~5ms）后，数据会消失，故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh)，此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点。

70、汲极

通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。

71、DriveIn驱入

离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。

72、DryOxidation干式氧化

在通入的气体中只有氧气与载气，只有氧气与底材发生氧化反应。我们将这种氧化叫干式氧化。如我们的Gate-OX，这种方法生成的SiO2质量比较好，但生成速度比较慢。

73、Drypump

Drypump是最基本的真空pump,它是利用螺杆原理来工作的，它主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气，所以可以单独使用。

74、DummyWafer挡片

对制程起一定辅助作用的硅片，区别于产品、控片，一般对其质量要求不是很高。

75、电子/电洞

电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周，形成原子。

76、电崩溃

当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，通常吸往汲极，而增加汲极电流的大小，部分电子则足以射入闸氧化层里，而产生的电洞，将流往低材，而产生底材电流；

77、电子迁移

所谓电子迁移（Electromigration），乃指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸愈缩小时，相对地电流密度则愈来愈大;当

78、椭圆测厚仪

将已知波长的入射光分成线性偏极或圆偏极，照射2003-7-17在待射芯片，利用所得的不同椭圆偏极光的强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片膜厚与折射率的仪器，称为椭圆测厚仪（Ellipsometer）。

79、电子迁移可靠度测试

EM（ElectronMigrationTest）电子迁移可靠度测试，当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界(GrainBoundaries)扩散(Diffusion)，使金属线产生空洞(Void)，甚至断裂，形成失效。

80、能量

能量是物理学的专有名词。如下图，B比A的电压正l00伏，若在A板上有一电子受B板正电吸引而加速跑到B板，这时电子在B板就比在A板多了100电子伏特的能量。

81、增强型EnhanceMOS

|Vg|>|Vt|时，处于"开（ON）"的状态，且当|Vg|<|Vt|时，电晶体则在"关（OFF）"的状态。它的通道必须在闸极处于适当的电压下时才会形成。

82、EPIWAFER磊晶芯片

磊晶系在晶体表面成长一层晶体。

83、Epitaxy磊晶

外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶表面的生长，这样两种矿物的结晶基层就会有同样的构造来源。

84、EPROM

EPROM（Erasable-ProgrammableROM）电子可程序只读存储器，MASKROM内所存的数据是在FAB内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变。就像任天堂游戏卡内的MASKROM，存的是金牌玛丽，就无法变成双截龙。

85、静电破坏/静电放电

自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物质呈中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子﹒此即产生一静电，得到电子的物质为带负静电，失去电子即带正静电。

86、ETCH蚀刻

在集成电路的制程中，常常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH)，及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是利用化学品(通常是酸液)与所欲蚀刻的薄膜，起化学反应，产生气体或可溶性，生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆将所欲蚀刻的薄膜，反应产生气体，由PUMP抽走达到图案定表的目的。

87、蒸镀

将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时，原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强，利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子，我们在其上方不远处的芯片表面上，进行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀（Evaporation）。

88、曝光

其意表略同于照相机底片的感光在基集成电路的制造过程中，定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤，以运用最广的5XStepper为例，其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特殊波长的光线(G-LINE436NM)照射光罩后，经过缩小镜片(ReductionLens)光罩上的图形则呈5倍缩小后，精确地定义在底片上(芯片上的光阻膜)经过显影后，即可将照到光(正光阻)的光阻显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。

89、萃取电极

Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc反应室中的离子以电压萃取出来的两个电极板。由电子抑制极板（Suppression Electrode）和接地极板（Ground Electrode）两部分组成。

90、Fab晶圆厂

Fabrication为"装配"或"制造"之意，与Manufacture意思一样。半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB系Fabrication的缩写，指的是"工厂"之意。我们常称FAB为"晶圆区"，例如：进去"FAB"之前须穿上防尘衣。

91、法拉第杯

法拉第杯（FaradayCup），是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。

92、FieldOxide场氧化层

FieldOxide场氧化层，Field直译的意思是"场"。如运动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。

在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层。

93、Filament灯丝

在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热，使灯丝表面释放出所谓"热离化电子"。

94、Filtration过滤

用过滤器（FILTER,为一半透明膜折迭而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration（过滤）故IC制造业对洁净度的要求是非常的严，故各种使用的液体或气体（包括大气）必须借着过滤以达到洁净的要求。待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下，必须借着一个pump制造压差来完成，如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。

95、固定氧化层电荷

固定氧化层电荷（FixedOxideCharge）位于离Si-SiO2接口30?的氧化层内，通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方向有关。

96、客户委托加工

客户委托加工（Foundry）主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由联华来生产制造，在将成品出售给客户，只收取代工费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工（SiliconFoundry）。

97、四点测针

四点测针（FourPointProbe）是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。其原理如下:上图ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差(ΔV)，则：Rs=K.ΔV/IK是比例常数，和机台及针尖距离有关

98、FTIR